Päikesepaneeli tootmisprotsess (2)

(5) Perifeerne söövitus( päikesepaneel): difusiooni ajal räniplaadi perifeersele pinnale moodustunud difusioonikiht lühistab aku ülemise ja alumise elektroodi. Perifeerne difusioonikiht eemaldatakse maskeeriva märgsöövitamise või plasmakuivsöövitamise teel.

(6) Eemaldage tagumine PN-ühendus(päikesepaneel). Tagumise PN-ühenduse eemaldamiseks kasutatakse tavaliselt märgsöövitus- või lihvimismeetodit.

(7) Ülemiste ja alumiste elektroodide valmistamine(päikesepaneel): kasutatakse vaakumaurustamist, elektrivaba nikeldamist või alumiiniumpasta trükkimist ja paagutamist. Kõigepealt valmistatakse alumine elektrood ja seejärel ülemine elektrood. Alumiiniumpasta trükkimine on laialdaselt kasutatav protsessimeetod.

(8) Peegeldusvastase kile valmistamine(päikesepaneel): sisendpeegelduskadude vähendamiseks tuleb räniplaadi pinnale katta peegeldusvastase kile kiht. Peegeldusvastase kile valmistamiseks kasutatavate materjalide hulka kuuluvad MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5 jne. Protsessi meetoditeks võivad olla vaakumkatmise meetod, ioonkatmise meetod, pihustusmeetod, printimismeetod, PECVD meetod või pihustusmeetod.

(9) Paagutamine: aku kiip paagutatakse niklist või vasest alusplaadile.

(10) Katse klassifikatsioon: katse klassifikatsioon vastavalt kindlaksmääratud parameetritele ja spetsifikatsioonidele.